EPC Space推出了EPC7030MSH，这是300 V辐射的GAN FET。解决方案
EPC Space推出了EPC7030MSH，这是300 V辐射的GAN FET。该解决方案提供了高功率电流评级，为卫星功率和推进应用设定了新的基准测试。 EPC7030MSH指出，卫星制造商转向更高的电压电压总线，并且更苛刻的电源密度，最新的EPC太空设备满足了对紧凑，高效和抗辐射电源转换的不断增长的需求。 EPC7030MSH专为在严重辐射和热条件下运行的前端DC-DC转换器和功率推进系统设计。该文档显示该设备具有300 V工作电压，线性能量传输（LET）为63 MeV，在LET = 84.6 MeV处具有250 V。据该公司称，它提供了当今市场上所有300 V抗GAN FET的300 V抗性的RDS（ON）和Gatecharge（QG）。 EPC Space首席执行官Bel Lazar在新闻稿中说：“ EPC7030MSH 300 V RH GAN FET提供了高可靠性和耐药性，简化了热力为我们的客户设计。现有的GAN GATE驱动程序的兼容性，简化了合格设计的系统集成。降低电损耗。
